本篇目录：
- 1、直拉单晶硅杂质元素的影响?
- 2、单晶硅的滑移线是怎么产生的
- 3、“直拉单晶硅制备工艺中缩颈的目的”
- 4、直拉法单晶的光圈是怎么产生的?
- 5、直拉法生长的硅单晶,存在多种缺陷,各种缺陷的产生机理、影响及控制手...
直拉单晶硅杂质元素的影响?
原材料的污染：单晶硅拉棒制备的原材料是多晶硅，如果原材料中还有其他杂质元素的话，这些杂质就有可能在后续的制备过程中被带入到单晶硅中而污染单晶硅。
所以，晶棒越拉到后面溶液中的金属杂质浓度会升高，浓度升高，那么相对头部来讲进入单晶的杂质也会比头部多。从而导致晶棒寿命头高尾低。
直拉法生长多是采用液相掺杂，受杂质分凝、杂质蒸发，以及坩埚污染影响大，直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均匀性较差。
直拉硅单晶从炉内取出后，电阻率发生漂移的主要原因是晶体内部杂质的存在和分布不均匀。在晶体生长过程中，由于各种因素的影响，如原料纯度、工艺参数等，会导致杂质的存在。
单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99999%，甚至达到99999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。
直拉法生长的硅单晶中的杂质浓度受到许多因素的影响。掺杂估算所考虑的只是肩部下刚开始等径生长的硅单晶要达到的目标电阻率。
单晶硅的滑移线是怎么产生的
单晶硅的生产工艺：石材加工一开始是石头(所有石头都含硅)。这块石头被加热后变成了液态。加热后变成气态，气体通过一个密封的大盒子。盒子里有N多个加热的子晶体，两端用石墨夹住。
单晶硅片取自于等径部分。（6）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。
当工件受到刀具的挤压以后，切削层金属在始滑移面OA以左发生弹性变形。在OA面上，应力达到材料的屈服强度，则发生塑性变形，产生滑移现象。随着刀具的连续移动，原来处于始滑移面上的金属不断向刀具靠拢，应力和变形也逐渐加大。
导电能力越强，电阻率就越低；相反硅中掺硼则为p型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，则导电能力越强，电阻率就越低。
冲击线是指冲压过程中成形零件上的棱肩等凸起留在板料上的，从初痕到终痕所滑移过的痕迹。
silicon solar module 应该这么翻译才对 因为太阳能电池板是一个组件，是一个发电系统 如果用那位朋友翻译的cell，就指的是电池板里面的电池片(cell)了，那样不准确。请放心，我是从事这行职业的，我说的更准确。
“直拉单晶硅制备工艺中缩颈的目的”
缺陷。缩颈，是为了消除籽晶原有的缺陷或引晶时由于温度变化引起的新生缺陷。单晶硅通常指的是硅原子的一种排列形式形成的物质。
直拉法单晶的光圈是怎么产生的?
1、高温下，石英容器会污染熔体，造成晶体的纯度降低。直拉法得到的单晶中杂质大体上沿纵向变化，对分凝系数小于1的杂质，在晶体中浓度不断增加，因而也就使电阻率沿整根晶棒变化，以致不能生产出电阻率均匀的单晶体。
2、直拉法是运用熔体的冷凝结晶驱动原理，在固液界面处，藉由熔体温度下降，将产生由液态转化成固态的相变化。首先搞清楚四个基本概念、晶体、非晶体、单晶、多晶。
3、成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法套用最广，80%的矽单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中矽单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性矽单晶。
4、实现生长成无位错单晶硅棒。知识点延伸：直拉单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。
直拉法生长的硅单晶,存在多种缺陷,各种缺陷的产生机理、影响及控制手...
位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。
FMEA是失效模式与影响分析即“潜在失效模式及后果分析”的简称。
在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。
到此，以上就是小编对于拉单晶是什么工作的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
