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硅中掺铟和磷形成什么半导体
N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。多子：N型半导体中，多子为自由电子。少子：N型半导体中，少子为空穴。
在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。
都不是。掺杂之后才能区分N型或P型半导体。在纯硅基础上，掺杂5价元素（外围电子5个）比如磷、砷等的称为N型半导体。
如果在纯净的硅（锗）中参如微量的五价磷，锑，砷等元素就形成了N型半导体，同样如果在纯净的硅（锗）中参如微量的三价硼，铝，铟，等元素就形成了P型半导体。N型半导体和P型半导体合在一起就是一个二极管。
形成 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。
n型掺杂一般掺入什么
Al、Ga和In；要得到N型单晶硅，一般需要掺入Ⅴ族元素杂质，如P、As和Sb。但在实 际应用时，还要看杂质在硅液中的分凝系数、蒸发系数以及所需的掺杂量。
掺入磷杂质的硅称为“N型硅”，或“负电荷载流子型硅”。一个磷原子加入到硅晶片中提供了一个未被束缚的电子，增加了电导率。加入了磷元素的硅称为N型硅。
n型掺杂 硅中掺入磷为n型掺杂，n表示电子，称n型掺杂是因为硅中掺入磷后电子浓度远大于空穴，多数载流子为电子。
与n型半导体相对应的是p型半导体，p型半导体是向本征半导体中掺入少量的三价元素，如硼（B）、铝（Al）等，以增加半导体中的空穴浓度而得到的。
N型半导体，以电子为多数载流子的半导材料，n为negative（负）之意。n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。
向硅中掺入哪种元素,可提高载流子浓度
1、硅(Si)材料中离子注入硼或者硼源高温炉管参杂低浓度。比如1e14，这时候为p型半导体，再对该材料子注入磷或或者磷源(如PH3，POCl3)高温炉管参杂高浓度，比如5e14，这时候该材料转为N型半导体。
2、为了增加电子浓度，通常会在硅中掺入Ⅴ族元素，如磷与锗，这些提供额外电子的杂质原子称为施主原子；为了增加空穴浓度，通常会在硅中掺入Ⅲ族元素，如硼，这些提供多余空穴的杂质原子称为受主原子。
3、在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成P型硅半导体另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路（包括我们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。
4、该半导体为n型半导体。如将V族元素砷杂质加入到IV族半导体硅中。它能改变半导体的导电率和导电类型。对n型半导体，电子激发进入导带成为主要载流子。例如，掺入第15（VA）族元素（磷、砷、锑、铋等）的硅与锗。
5、不是简单的混合，这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时，普通掺杂成功率越来越低，学学原子晶体，对半导体的认识会有收获。此外，氮元素电负性太大，与硅掺杂无法形成四价，只能是三价键，不可以导电的。
6、N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。
到此，以上就是小编对于n型硅的能带图的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
