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为什么n型半导体是单晶体
1、N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。多子：N型半导体中，多子为自由电子。少子：N型半导体中，少子为空穴。
2、N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。
3、N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
4、形成原因不同 在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。
取向的n型单晶硅是什么意思
在单晶硅中掺入微量的第ЩA族元素，形成P型半导体，掺入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。
N型是电子导电，P型是空穴导电。单晶硅中掺磷是N型，掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低；单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。性能不同：N型掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低。
单晶硅的p型,n型是怎么回事?是和电阻率有关吗?还有那些型号
1、超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
2、N型是电子导电，P型是空穴导电。单晶硅中掺磷是N型，掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低；单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
3、导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。性能不同：N型掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低。
4、n型是电子传导，P型是空穴传导。单晶硅中的磷掺杂是n型的。磷掺杂越多，自由电子越多，导电性越强，电阻率越低。单晶硅中的硼掺杂是P型的。硼掺杂越多，取代硅产生的空穴越多。导电性越强，电阻率越低。
p型单晶和N型单晶混型会有什么反应?
1、不是所有的掺杂都是有效的，因为硅与磷硼的掺杂会有些失败的部分，磷硼没有缔结成四价键，而是三价，这时候还是不会导电，也不会有pn节。其实半导体掺杂是化学反应，不是简单的混合，这种技术只有欧美有。
2、具有氧化能力的掺杂剂称为p型掺杂剂，是电子接收体；相反，具有还原能力的掺杂剂称为n型掺杂剂，是电子给予体。主要p型掺杂剂包括以碘为主的卤族元素，卤族元素的高价态金属化合物和某些金属的高氯酸和硝酸盐。
3、导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。性能不同：N型掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低。
4、N型是电子导电，P型是空穴导电。单晶硅中掺磷是N型，掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低；单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
5、当P型和N型半导体结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层)，界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。
6、导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。
什么叫N型硅?
N型硅也就是在超高纯度的单晶硅中，掺入少量氮、磷等元素形成的一种杂质半导体，也叫N型半导体。
导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。掺杂的东西不同：单晶硅中掺磷是N型，单晶硅中掺硼为P型。性能不同：N型掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低。
N型硅和P型硅是通过将本征硅（纯硅）掺杂特定类型的杂质元素得到的。掺杂过程通过改变硅的电荷载体浓度来调节其电学性质。具体来说： **制备N型硅**：N型硅是通过在硅中掺入五价元素（例如磷、砷或锑）来制备的。
N型是电子导电，P型是空穴导电。单晶硅中掺磷是N型，掺磷越多则自由电子越多，导电能力越强，电阻率就越低；单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
导电不同：N型是电子导电，P型是空穴导电。
“p型硅” 硼元素 “n型硅” 磷元素 导电率在10*e-7 ~ 10*e3 之间的材料都称为半导体，有一些半导体是纯元素，如硅，锗，这构成了半导体的基础。
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