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为什么高效率发光二极管往往采用双异质结结构
InGaN/AlGaN双异质结LED的发光效率更高，有效的避免了droop效应。
异质结 和同质结结构激光器在阈值电流密度上存在较大差异。为了降低阈值电流，可以使用不同材料构成激光器的PN结，称为异质结半导体激光器。异质结可以将电子与空穴局限在中间层内，可以显著提高载流子效率。
这是由于用透明的GaP替代GaA，后，使LED芯片从面发光变成体发光，大大减小了衬底对光的吸收。此外，外延层应保持较高的载流子浓度，以确你足够高的注人效率。
半导体激光器对异质结的基本要求
具有不同带隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结，中，有源层与左侧的N层之间形成的是P-N异质结，而与右侧P 层之间形成的是P-P异质结，所以这种结构又称为N-P-P双异质结构，简称DH结构。
通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。
因为硅是间接带隙半导体材料，其发光效率很低。所以半导体激光器采用的是高发光效率的gaas、ingan等直接带隙半导体材料做有源层。
同质结就是同一种半导体形成的结。双异质结是利用不同折射率的材料对光波进行限制，利用不同带隙的材料对载流子进行限制。
单异质结半导体激光器 双异质结半导体激光器(2) 分布反馈型(DFB)激光器。
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